一種SiC MOSFET柵氧界面缺陷的POA優(yōu)化工藝

摘要： 柵氧界面缺陷嚴(yán)重影響SiC MOSFET性能。開(kāi)發(fā)了一種NO氧化后退火(POA)優(yōu)化工藝，采用氮、氫、氧、氯四種元素組合鈍化工藝，實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC MOSFET柵氧界面缺陷的抑制。通過(guò)X射線光電子能譜(XPS)、二次離子質(zhì)譜(SIMS)和電學(xué)測(cè)試，對(duì)工藝優(yōu)化前后的SiC MOSFET柵氧界面缺陷類型及器件電學(xué)特性進(jìn)行了分析。測(cè)試結(jié)果表明，采用傳統(tǒng)NO POA工藝的SiC MOSFE... （共9頁(yè)）

SiC MOSFET X射線光電子能譜(XPS) 二次離子質(zhì)譜(SIMS) 界面缺陷 氧化后退火(POA)