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半導(dǎo)體技術(shù)(2024年12期)
Semiconductor Technology
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- 基本信息
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:中國電子科技集團公司第十三研究所
:月刊
:1003-353X
- 出版信息
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: 信息科技
: 無線電電子學(xué)
:8318篇
- 評價信息
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:0.502
:0.352
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目 錄
- 基于儲能三電平變流器并聯(lián)短路振蕩的IGBT多參數(shù)優(yōu)化策略
- 基于靜態(tài)特性優(yōu)化和非線性電容效應(yīng)的IGBT行為模型改進
- 軌道交通用大功率IGBT結(jié)電容退化規(guī)律
- 一種具備長期失效短路能力的彈性壓接型IGBT器件
- 基于生死單元技術(shù)的IGBT芯片焊料層失效演化機理
- 壽命分散性對IGBT器件串聯(lián)壽命評估的影響
- 柵極電阻對SiC MOSFET半橋電路串?dāng)_的影響
- SiC MOSFET關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)測試技術(shù)研究及特性分析
- 一種SiC MOSFET有源串?dāng)_抑制驅(qū)動電路
- 一種SiC MOSFET柵氧界面缺陷的POA優(yōu)化工藝
- 多層PCB互連應(yīng)力測試技術(shù)及實驗驗證
- 《半導(dǎo)體技術(shù)》2024年第49卷總目次
- “功率半導(dǎo)體器件可靠性和失效分析”??把?/li>