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氧化鎵粉體的電解法合成及性能研究

功能材料 頁(yè)數(shù)： 7 2024-11-30
摘要： 隨著顯示器件對(duì)導(dǎo)電薄膜的要求越來(lái)越高，高致密度、高電導(dǎo)率的IGZO靶材得以迅速發(fā)展。本文采用一種合Ga2O3的新方法電解法，以純Ga金屬片為陽(yáng)極，以石墨棒為陰極，以NH4Cl水溶液為電解液，成功合成了平均粒徑約為580 nm的片層繭狀GaOOH納米顆粒。該納米顆粒分別在500和800℃下煅燒3 h,獲得α-Ga2O3和β-Ga2O3納米粉體，并以該β-Ga2O_... （共7頁(yè)）

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