SiC MOSFET柵極可靠性研究
電力電子技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 6 2024-12-20
摘要： 柵極可靠性一直是SiC MOSFET芯片所面臨的重要問(wèn)題,主要體現(xiàn)在高溫柵偏所導(dǎo)致的閾值電壓退化。如何提升SiC MOSFET芯片的閾值電壓穩(wěn)定性,需要展開(kāi)系統(tǒng)而深入研究。從柵氧氮化和后道工藝出發(fā),研究了氮化退火過(guò)程對(duì)柵氧界面態(tài)密度(D_(it))、溝道電子遷移率(μ)與柵極負(fù)柵壓可靠性的影響機(jī)理。通過(guò)μ與負(fù)偏壓溫度應(yīng)力(NBTS)導(dǎo)致的轉(zhuǎn)移特性漂移量(ΔU_(th))的折中關(guān)... （共6頁(yè)）
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