10 nm尺度氮化鎵局域熱點(diǎn)的傳熱測(cè)量

摘要： 以氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料在功率半導(dǎo)體、微納電力電子器件等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用，而電子器件中廣泛存在的納米尺度熱點(diǎn)(小于100 nm)極大地降低器件熱安全閾值，是熱安全隱患的重要來(lái)源，研究納米尺度熱點(diǎn)、充分理解納米尺度熱源的聲子導(dǎo)熱行為具有重要意義。納米熱點(diǎn)的可控生成及溫度測(cè)量一直是工程熱物理領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)，本文針對(duì)該難題發(fā)展的針尖增強(qiáng)拉曼測(cè)熱技術(shù)，同... （共8頁(yè)）