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應(yīng)變補償BGaN/AlGaN超晶格深紫外LED空穴濃度

固體電子學(xué)研究與進展 頁數(shù)： 8 2024-12-25
摘要： 高Al組份Al Ga N薄膜中的Mg受主活化能較大、空穴濃度較低，制約了Al Ga N基深紫外發(fā)光二極管（Light-emitting diode,LED）的輻射復(fù)合效率。為了提高Al Ga N的空穴濃度，構(gòu)筑了BGa N/Al Ga N超晶格對空穴濃度進行補償。由于應(yīng)變產(chǎn)生了極化電場、能帶彎曲，使B_(0.14)Ga_(0.86)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格的... （共8頁）

BGaN/AlGaN 超晶格 應(yīng)變補償 多量子阱 空穴濃度 發(fā)光二極管

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