TRISO顆粒SiC層納米力學(xué)行為的分子動(dòng)力學(xué)模擬

摘要： 三元結(jié)構(gòu)各向同性（TRISO）顆粒碳化硅（SiC）層在輻照和高溫考驗(yàn)后會(huì)發(fā)生晶粒的相變、斷裂和異常長大等現(xiàn)象，這些SiC層的力學(xué)行為對(duì)TRISO顆粒的安全性研究非常重要。本文采用分子動(dòng)力學(xué)模擬研究SiC層的納米力學(xué)行為和性能。根據(jù)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象構(gòu)建了4種典型SiC層結(jié)構(gòu)：服役前3C-SiC、輻照考驗(yàn)后3C-SiC、高溫考驗(yàn)后6H-SiC、高溫+輻照考驗(yàn)后6H/3C-SiC，并通過載荷... （共9頁）