HPGe探測(cè)器效率模擬及符合相加校正技術(shù)研究
核技術(shù)
頁(yè)數(shù): 9 2024-11-15
摘要: 為提高高純鍺(HPGe)探測(cè)器測(cè)量低水平放射性核素活度的探測(cè)靈敏度,通常將樣品置于距探測(cè)器較近的位置以提高探測(cè)效率,但近距離測(cè)量不可避免地會(huì)帶來(lái)較嚴(yán)重的符合相加效應(yīng),影響活度測(cè)量的準(zhǔn)確度。本文利用Geant4對(duì)HPGe探測(cè)器進(jìn)行了峰效率模擬,并與混合標(biāo)準(zhǔn)刻度源的實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比,表征了探測(cè)器內(nèi)部幾何結(jié)構(gòu);基于表征的探測(cè)器幾何結(jié)構(gòu)對(duì)探測(cè)器總效率進(jìn)行了模擬,進(jìn)而從物理機(jī)制上計(jì)算得到了符... (共9頁(yè))
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