溝槽型MOSFET放大器γ射線輻照效應(yīng)研究

摘要： 研發(fā)高抗輻照性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）放大器等電子器件對于核環(huán)境作業(yè)機器人至關(guān)重要。用⁶⁰Co-γ射線對三個商用溝槽型MOSFET放大器進行了原位輻照測試，研究了輻照前后的電學(xué)性能變化。結(jié)果表明：三個MOSFET放大器分別在累計輻照總劑量達到982.... （共8頁）