EAST裝置高場(chǎng)側(cè)NBI束透區(qū)第一壁的設(shè)計(jì)和分析
核聚變與等離子體物理
頁(yè)數(shù): 6 2024-10-17
摘要: 高場(chǎng)側(cè)第一壁作為全超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置(EAST)中面向等離子體部件的重要組成部分,其功能為承受高熱負(fù)荷和保護(hù)真空室內(nèi)部部件。隨著中性束注入(NBI)功率和等離子體運(yùn)行參數(shù)的提升,現(xiàn)有的高場(chǎng)側(cè)NBI束透區(qū)第一壁已經(jīng)不能滿(mǎn)足EAST裝置高功率、長(zhǎng)脈沖的需求。因此,設(shè)計(jì)了一種組合式的高場(chǎng)側(cè)NBI束透區(qū)第一壁面板,每個(gè)面板由進(jìn)出水模塊、標(biāo)準(zhǔn)模塊和連接模塊構(gòu)成。每個(gè)模塊均為3層結(jié)... (共6頁(yè))
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