InGaAs/InP單光子雪崩光電二極管中鋅的雙擴散行為與器件性能關(guān)聯(lián)性研究（英文）

摘要： InGaAs/InP單光子雪崩二極管（SPAD）研制需要采用兩次元素擴散方法，以實現(xiàn)對倍增層厚度以及電場分布的精確控制。針對兩次擴散深度的有效預測問題，圍繞InGaAs/InP SPAD中鋅原子的兩次擴散行為開展了仿真分析和器件研制?；诙S模型擬合模擬的兩次擴散深度，建立了預測擴散深度的公式■。利用掃描電子顯微鏡和二次離子質(zhì)譜表征器件雙擴散區(qū)的二維雜質(zhì)形態(tài)和一維雜質(zhì)分布，制備... （共8頁）