基底均勻摻雜下 EBCMOS 空間分辨率的影響因素研究

摘要： 電子轟擊互補金屬氧化物半導(dǎo)體(EBCMOS)是一種結(jié)合電子束轟擊和CMOS技術(shù)的先進成像技術(shù)。為提升EBCMOS的成像質(zhì)量，獲得高分辨率的EBCMOS微光成像器件，對EBCMOS電子倍增層結(jié)構(gòu)均勻摻雜下的空間分辨率的影響因素進行了研究。依據(jù)載流子傳輸和復(fù)合理論結(jié)合蒙特卡洛方法，建立了EBCMOS中電子倍增層內(nèi)空間分辨率理論計算模型。模擬分析了在基底均勻摻雜下基底厚度、基底摻雜濃... （共8頁）