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一種650 V微溝槽IGBT設(shè)計(jì)與優(yōu)化

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù)： 6 2024-07-30
摘要： 介紹了關(guān)于IGBT的注入增強(qiáng)原理，以及使用Sentaurus TCAD軟件對(duì)不同Mesa寬度以及不同溝槽柵長(zhǎng)度的器件進(jìn)行了仿真優(yōu)化。根據(jù)仿真結(jié)果以及第三代FS Trench設(shè)計(jì)平臺(tái)，設(shè)計(jì)了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根據(jù)流片樣品的測(cè)試結(jié)果表明，相比于傳統(tǒng)的元胞節(jié)距(pitch)為4.5μm IGBT,本文的器件可以在降... （共6頁(yè)）

IGBT 微溝槽絕緣柵二極管 溝槽柵 關(guān)斷損耗 注入增強(qiáng)

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