0.18μm PDSOI MOSFET高溫模型研究
微電子學(xué)
頁數(shù)： 5 2024-07-29
摘要： 針對目前業(yè)界主流伯克利短溝道絕緣柵場效應(yīng)晶體管模型絕緣體上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator, BSIMSOI)模型無法滿足高溫集成電路仿真需求的問題，開展了絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)金屬氧化物半... （共5頁）
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