質(zhì)子輻照誘發(fā)CCD片上放大器單管性能退化實(shí)驗(yàn)與仿真研究

摘要： 輻照誘發(fā)電荷耦合器件（CCD）圖像傳感器性能退化與CCD片上放大器中的金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）管性能退化密切相關(guān)。本文以國產(chǎn)CCD片上放大器中的MOS管為研究對(duì)象，開展了3種不同注量的質(zhì)子輻照實(shí)驗(yàn)，測(cè)試了輻照前后性能參數(shù)的退化規(guī)律。采用SENTAURUS TCAD軟件建立了CCD片上放大器中MOS管的工藝模型，在SiO₂層引入固定正電荷，在Si/SiO₂界面處引入界面態(tài)進(jìn)... （共7頁）

CCD 質(zhì)子輻照 輻照注量 輻照損傷 退火測(cè)試