IGBT器件關斷能力提升的參數篩選方法研究

摘要： 絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)器件內部通過并聯(lián)大量芯片保證其關斷能力，當并聯(lián)芯片的參數分散性較大時，器件的關斷能力會不可避免的退化。因而，研究IGBT器件關斷能力提升的參數篩選方法非常重要。為此，本文首先分析了并聯(lián)兩IGBT芯片關斷失效的特征及關鍵的影響因素，并首次給出了并聯(lián)IGBT芯片動態(tài)閂鎖失效的電壓電流... （共9頁）