通過(guò)PO-KELM的3D NAND FLASH壽命預(yù)測(cè)方法研究

摘要： 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，以及各種芯片國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)越來(lái)越明顯，3D NAND FLASH作為當(dāng)前存儲(chǔ)器件的重要代表，其壽命預(yù)測(cè)對(duì)于保障系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。因此，通過(guò)硬件搭建現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列采集平臺(tái)，對(duì)3D NAND FLASH進(jìn)行特性分析，在不同擦除/寫(xiě)入次數(shù)下模擬FLASH可能發(fā)生的不同誤碼情況，分析耐久性、數(shù)據(jù)保持特性以及讀、寫(xiě)干擾特性的變化趨勢(shì)。同時(shí)提出鸚鵡優(yōu)化器改進(jìn)的核... （共9頁(yè)）