基于分區(qū)再訓(xùn)練的RRAM陣列多缺陷容忍算法
計(jì)算機(jī)應(yīng)用研究
頁數(shù): 5 2024-07-11
摘要: 針對(duì)RRAM單元制造工藝不完善造成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)矩陣向量乘法計(jì)算錯(cuò)誤問題,根據(jù)RRAM陣列多缺陷特性進(jìn)行建模,提出了多缺陷容忍算法。首先根據(jù)RRAM陣列常見的轉(zhuǎn)變?nèi)毕莺驼尺B缺陷對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算準(zhǔn)確度的影響,對(duì)兩種缺陷統(tǒng)一建模;然后對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行劃分,基于改進(jìn)的知識(shí)蒸餾方式進(jìn)行分區(qū)訓(xùn)練;最后選擇適配的損失函數(shù)加入歸一化層,進(jìn)一步優(yōu)化算法。在MNIST和Cifar-10數(shù)據(jù)集上進(jìn)行實(shí)驗(yàn),結(jié)... (共5頁)
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