局部熱點(diǎn)下微肋通道流動(dòng)傳熱特性

摘要： 集成電路的發(fā)展使芯片尺寸縮小但設(shè)備功耗急劇增加，由此引發(fā)的電子設(shè)備散熱問(wèn)題已成為限制其快速發(fā)展的重要瓶頸。微通道冷卻目前被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超高熱通量散熱最具前景的技術(shù)。設(shè)計(jì)并制備了具有不同肋片結(jié)構(gòu)的多種硅基微肋通道熱沉，對(duì)其在局部熱點(diǎn)下的流動(dòng)傳熱特性進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究和對(duì)比分析。結(jié)果表明交錯(cuò)肋微通道的流動(dòng)阻力較低，在相同Reynolds數(shù)條件下，其壓降比方肋微通道降低22.8%。綜合對(duì)比，... （共9頁(yè)）