金剛石/環(huán)氧樹脂復(fù)合物熱導(dǎo)率的分子動力學(xué)模擬

摘要： 提高環(huán)氧樹脂熱界面材料熱導(dǎo)率對解決5G等微電子芯片高熱流密度散熱問題具有重要意義.采用非平衡態(tài)分子動力學(xué)方法,重點(diǎn)研究了納米金剛石填料的不同填充方式對環(huán)氧樹脂基復(fù)合物熱導(dǎo)率的影響.結(jié)果表明,單顆粒填充方式下,復(fù)合物熱導(dǎo)率隨金剛石尺寸的增大而增大,大尺寸金剛石填料可以降低復(fù)合物的自由體積分?jǐn)?shù),對熱導(dǎo)率的提升效果更顯著;多顆粒填充方式下,復(fù)合物熱導(dǎo)率隨顆粒數(shù)的增多呈先增大后減小的趨...