當前位置:首頁 > 科技文檔 > 化學 > 正文

KDP類晶體快速生長技術研究進展(特邀)

中國激光 頁數(shù): 8 2024-06-10
摘要: 從技術路線、生長設備和工藝優(yōu)化3個方面簡述KDP類晶體快速生長領域的研究進展。通過生長集成控制系統(tǒng)的研制、循環(huán)過濾系統(tǒng)的優(yōu)化升級,以及晶體生長實時監(jiān)控系統(tǒng)、大尺寸KDP類晶體線切割設備、高精密退火設備的研發(fā),實現(xiàn)晶體生長、切割、退火的全鏈路突破;通過數(shù)值模擬仿真優(yōu)化晶體生長濃度場,實現(xiàn)晶體穩(wěn)定良好的生長,利用精密熱退火進一步提高晶體的光透過性能和抗激光損傷性能。針對晶體柱錐交界...

開通會員,享受整站包年服務立即開通 >