一種新型阻變存儲器1T2R存儲單元

摘要： 提出了一種新型阻變存儲器（RRAM）1T2R結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)利用一個大尺寸晶體管驅(qū)動兩個憶阻器，彌補了工藝節(jié)點縮小帶來的晶體管驅(qū)動能力不足的缺點。針對RRAM 1T2R結(jié)構(gòu)中固有的串擾路徑問題，專門設計的讀方法可以截斷串擾路徑，抑制串擾電流，使得一個1T2R存儲單元可以有效存儲2 bit信息，提高RRAM的存儲密度。同時，還可以通過直接讀取BL上的電流對同一個存儲單元內(nèi)的2 bit... （共7頁）