
 絕緣柵雙極晶體管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一種場(chǎng)控復(fù)合器件,由MOSFET器件發(fā)展而來(lái),其將高阻抗和小功率門(mén)極輸入結(jié)合起來(lái),具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通損耗。IGBT的工作特性與雙極晶體管類(lèi)似,但卻有著與晶閘管類(lèi)似的雙 (共 642 字) [閱讀本文] >>
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 絕緣柵雙極晶體管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一種場(chǎng)控復(fù)合器件,由MOSFET器件發(fā)展而來(lái),其將高阻抗和小功率門(mén)極輸入結(jié)合起來(lái),具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通損耗。IGBT的工作特性與雙極晶體管類(lèi)似,但卻有著與晶閘管類(lèi)似的雙 (共 642 字) [閱讀本文] >>