3.3.1 VCSEL激光器結(jié)構(gòu)和基本原理

所屬欄目:單頻半導(dǎo)體激光器

3.3.1 VCSEL激光器結(jié)構(gòu)和基本原理

無論是常規(guī)的F-P腔半導(dǎo)體激光器,還是高性能的DFB、EBR激光器,激光振蕩的方向都與生長的P-N結(jié)有源區(qū)平行,激光都從半導(dǎo)體材料的解理面輸出。這樣的結(jié)構(gòu)充分利用了有源區(qū)的增益,具有效率高、輸出功率大的優(yōu)點(diǎn)。但是也有缺點(diǎn),一是 ......(本文共 4873 字 , 7 張圖)     [閱讀本文] >>


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