所屬欄目:單頻半導(dǎo)體激光器
1) 閾值條件DBR激光器的閾值條件與常規(guī)F-P腔激光器有同樣的形式: r1r2exp[j2(nr+jni)klg+j2∅]=1(3-37)式中,折射率虛部ni=(αc-g)/(2k)正比于腔內(nèi)的凈增益;lg為增益段的長度;∅代表相移控制段引入的相位因子。芯片的解理面作增透鍍 ......(本文共 3562 字 , 8 張圖) [閱讀本文] >>