3.1.2 DFB激光器結(jié)構(gòu)和制作工藝

通常DFB激光器需要采用二步外延生長的工藝制作。目前半導(dǎo)體晶體最常用和成熟的生長方法是有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技術(shù)。首先在襯底(通常為N型半導(dǎo)體)上生長N型限 ......（本文共 1451 字 , 1 張圖）     [閱讀本文] >>