
 通常DFB激光器需要采用二步外延生長的工藝制作。目前半導體晶體最常用和成熟的生長方法是有機金屬化學汽相沉積(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技術。首先在襯底(通常為N型半導體)上生長N型限 (共 1451 字) [閱讀本文] >>
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 通常DFB激光器需要采用二步外延生長的工藝制作。目前半導體晶體最常用和成熟的生長方法是有機金屬化學汽相沉積(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技術。首先在襯底(通常為N型半導體)上生長N型限 (共 1451 字) [閱讀本文] >>