.jpg)
 通過(guò)絕緣體(dielectricum)SiO2的開(kāi)口(opening),外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)Si的擇優(yōu)外延生長(zhǎng),如圖1.14(b)所示。通過(guò)熱氧化(thermaloxidation),得到的絕緣體SiO2具有掩蔽層(maskinglayer)的作用?;瘜W(xué)氣相沉積CVD的擇優(yōu)特性來(lái)自于控制Si蝕刻和Cl氣 (共 840 字) [閱讀本文] >>