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 因為晶體硅是間接帶隙半導體,需要一定的陷光結構,才能提高異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池的轉換效率。如果不增加光程長,就不能體現晶體硅薄膜的優(yōu)勢,即低材料質量要求情況下的高開路電壓Voc潛力。事實上,運用低溫工藝實現商 (共 1212 字) [閱讀本文] >>
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