4.4.2 析晶時(shí)間對(duì)礦渣微晶玻璃析晶行為的影響

4.4.2.1 析晶時(shí)間設(shè)定在設(shè)定析晶時(shí)間時(shí),以析晶溫度970℃為前提條件,研究析晶時(shí)間對(duì)微晶玻璃析晶行為及性能的影響,析晶時(shí)間分別取30min、90min、180min、240min、300min、360 min,具體析晶工藝路線如圖4.20所示。圖4.20 析晶工藝路線圖4.4.2 ......（本文共 938 字 , 10 張圖）     [閱讀本文] >>