4.4.4 電極表面粗糙度對SF₆擊穿電壓的影響

所屬欄目：氣體絕緣和GIS

SF6中電極電暈起始電壓主要受電極表面狀態(tài)(形狀和表面粗糙度)的影響,受電極距離的影響次之。電極表面是凹凸不平的,凸起部分,場強集中,電暈起始電壓低。因此,間隙擊穿電壓隨表面粗糙度Ra的增大而下降。從圖4-25還可看出,隨SF ......（本文共 1174 字 , 6 張圖）     [閱讀本文] >>

推薦內(nèi)容

• 7.2.3 國內(nèi)外C-GIS中替代SF₆氣體的研究
• 3.1.2 氣體電子崩發(fā)展的蒙特卡羅模擬模型
• 7.3.4 GIL的發(fā)展
• 6.2.2 環(huán)保型絕緣氣體的研究發(fā)展
• 2.3.2 脈沖湯遜法(PT)
• 7.3.3 GIL的結(jié)構(gòu)
• 7.1.2 GIS的主要元件
• 7.1.3 SF₆混合氣體與環(huán)保型氣體在GIS中的應用研究
• 6.3.6 c-C₄F₈混合氣體的絕緣特性分析
• 1.7 環(huán)保型絕緣氣體的現(xiàn)狀與發(fā)展

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