Si-C系

硅-碳二組分體系。由Si-C二組分體系相圖知,體系中僅有SiC一個化合物生成。SiC的生成熱為51.9kJ/mol,密度為3.2g/cm3,熔點(蒸發(fā))在2450℃—2950C之間。由于SiC的熔點很高,硬度也很大,硅鐵電爐內(nèi)經(jīng)常存在這種碳化硅。1725℃時在液態(tài)硅中可溶 ......    （本文共 164 字 , 1 張圖）     [閱讀本文] >>