首頁 > 雜志
原子能科學技術(2023年12期)
Atomic Energy Science and Technology
-
- 基本信息
-
:中國原子能科學研究院
:月刊
:1000-6931
- 出版信息
-
: 工程科技II
: 核科學技術
:12218篇
- 評價信息
-
:0.712
:0.501
:
目 錄
- 一種新型高抗輻照可配置SOI器件技術
- 重離子引起SiC MOSFET柵氧化物潛在損傷研究
- 重離子輻照引發(fā)的25nm NAND Flash存儲器數(shù)據(jù)位翻轉
- 位移損傷效應對AlGaN/GaN HEMT器件的影響
- 用于單粒子效應輻照實驗的CYCIAE-100白光中子源研究
- 基于實驗與仿真的SiC JFET單粒子效應研究
- GaInP/GaAs/Ge三結太陽電池100MeV質(zhì)子位移輻照損傷效應實驗研究
- PE/CNT復合材料對空間質(zhì)子的屏蔽效能仿真分析
- 二(2,4,4-三甲基戊基)二硫代膦酸-2,2′-聯(lián)吡啶協(xié)萃體系分離三價鑭系/錒系離子
- Ni、Fe雜質(zhì)在LBE中的化學行為的深度勢能分子動力學研究
- Cs和I在某擬建核電廠液態(tài)流出物長距離排放管線周圍土壤中的擴散行為
- 一步法制備MgO-Nd2Zr2O7復相陶瓷惰性燃料基材的熱物理性能
- Zr-2.5Nb壓力管制造過程中的組織結構演變(Ⅰ)——α/β相轉變
- 球形壓頭半徑對離子輻照后RAFM鋼硬度及力學性能提取的影響
- 氫同位素形態(tài)對電離室氚測量的影響
- 直線感應加速器中四極磁鐵聚焦強流電子束研究
- 基于集成學習的松遼盆地砂巖型鈾礦地層巖性自動識別研究
- 質(zhì)子輻射對人惡性黑色素瘤A375細胞的DNA損傷影響研究
- Laser-assisted Simulation of Dose Rate Effects of Wide Band Gap Semiconductor Devices
- Design of Novel and Low Cost Triple-node Upset Self-recoverable Latch
- Study on Color Information Degradation Induced by γ-ray Radiation in CMOS Cameras
- Effects of Strain Channel on Electron Irradiation Tolerance of InP-based HEMT Structures
- 《原子能科學技術》第57卷總目次