介紹
雙極型晶體管是一種電流控制器件,電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場效應(yīng)晶體管相比,雙極型晶體管開關(guān)速度慢,輸入阻抗小,功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高,已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域,起放大、振蕩、開關(guān)等作用。
晶體管:用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域,并形成兩個PN結(jié),就構(gòu)成了晶體管。
分類
晶體管分類:NPN型管和PNP型管
特點(diǎn)
輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下,基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性,可表示為:硅管的開啟電壓約為0.7V,鍺管的開啟電壓約為0.3V。
輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量時(shí),集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系??杀硎緸椋?/p>
雙極型晶體管輸出特性可分為三個區(qū)
★截止區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個開關(guān),這個狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。
★飽和區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制,管子失去放大作用,UCE@0,IC=EC/RC,把三極管當(dāng)作一個開關(guān),這時(shí)開關(guān)處于閉合狀態(tài)。
★放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。
放大區(qū)的特點(diǎn)是:
◆IC受IB的控制,與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。
◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小,反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小,間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。
◆伏安特性最低的那條線為IB=0,表示基極開路,IC很小,此時(shí)的IC就是穿透電流ICEO。
◆在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為:UCE=EC-ICRC,IC=βIB
◆在放大區(qū)管子可等效為一個可變直流電阻。
極間反向電流:是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動的結(jié)果。
集電極-基極反向飽和電流ICBO:是集電結(jié)的反向電流。
集電極-發(fā)射極反向飽和電流ICEO:它是穿透電流。
ICEO與CBO的關(guān)系:
特征頻率:由于晶體管中PN結(jié)結(jié)電容的存在,晶體管的交流電流放大系數(shù)會隨工作頻率的升高而下降,當(dāng)?shù)臄?shù)值下降到1時(shí)的信號頻率稱為特征頻率。
雙極型晶體管極限參數(shù)
★最大集電極耗散功率如圖所示。
★最大集電極電流:使b下降到正常值的1/2~2/3時(shí)的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。
★極間反向擊穿電壓:晶體管的某一電極開路時(shí),另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓,超過此值的管子會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時(shí),擊穿電壓要下降。
影響
BVcbo
是發(fā)射極開路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓,這是集電結(jié)所允許加的最高反向電壓。是基極開路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓,此時(shí)集電結(jié)承受的反向電壓。
BVebo
是集電極開路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓,這是發(fā)射結(jié)所允許加的最高反向電壓。
BVceo
這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓,即基極開路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時(shí),集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的,即BJT處于放大狀態(tài)。
溫度對的影響:是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)動形成的,當(dāng)溫度升高時(shí),熱運(yùn)動加劇,更多的價(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛,從而使少子的濃度明顯增大,增大。
溫度每升高10時(shí),增加約一倍。硅管的比鍺管的小得多,硅管比鍺管受溫度的影響要小。
溫度對輸入特性的影響:溫度升高,正向特性將左移。
溫度對輸出特性的影響:溫度升高時(shí)增大。
光電三極管:依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。
暗電流ICEO:光照時(shí)的集電極電流稱為暗電流ICEO,它比光電二極管的暗電流約大兩倍;溫度每升高25,ICEO上升約10倍。
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