3D 封裝

3D封裝的分類

一：封裝趨勢是疊層封(PoP)；低產(chǎn)率芯片似乎傾向于PoP。
二：多芯片封裝(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片則傾向于MCP。
三：以系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)為主，其中邏輯器件和存儲器件都以各自的工藝制造，然后在一個SiP封裝內(nèi)結(jié)合在一起。
目前的大多數(shù)閃存都采用多芯片封裝（MCP，Multichip Package），這種封裝，通常把ROM和RAM封裝在一塊兒。多芯封裝（MCP）技術(shù)是在高密度多層互連基板上，采用微焊接、封裝工藝將構(gòu)成電子電路的各種微型元器件(裸芯片及片式元器件)組裝起來，形成高密度、高性能、高可靠性的微電子產(chǎn)品(包括組件、部件、子系統(tǒng)、系統(tǒng))。技術(shù)上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技術(shù)以縮小體積重量為主。但隨著Flash閃存以及DRAM閃存追求體積的最小化，該封裝技術(shù)由于使用了金屬絲焊接，在帶寬和所占空間比例上都存在劣勢，而WSP封裝技術(shù)將會是一個更好解決方案。

3D封裝技術(shù)的優(yōu)勢

在尺寸和重量方面，3D設(shè)計替代單芯片封裝縮小了器件尺寸、減輕了重量。與傳統(tǒng)封裝相比，使用3D技術(shù)可縮短尺寸、減輕重量達(dá)40-50倍;在速度方面，3D技術(shù)節(jié)約的功率可使3D元件以每秒更快的轉(zhuǎn)換速度運轉(zhuǎn)而不增加能耗，寄生性和方法;硅片后處理等等。
3D封裝改善了芯片的許多性能，如尺寸、重量、速度、產(chǎn)量及耗能。當(dāng)前，3D封裝的發(fā)展有質(zhì)量、電特性、機(jī)械性能、熱特性、封裝成本、生產(chǎn)時間等的限制，并且在許多情況下，這些因素是相互關(guān)聯(lián)的。3D封裝開發(fā)如何完成、什么時候完成?大多數(shù)IC專家認(rèn)為可能會經(jīng)歷以下幾個階段。具有TSV和導(dǎo)電漿料的快閃存儲器晶圓疊層很可能會發(fā)展，隨后會有表面凸點間距小至5μm的IC表面-表面鍵合出現(xiàn)。最后，硅上系統(tǒng)將會發(fā)展到存儲器、圖形和其它IC將與微處理器芯片相鍵合。[1]