原生多晶硅

　　物理性質

　　具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。

　　化學性質

　　常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。

　　應用

　　具有半導體性質，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下反應（氯化），再經冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質硅的一種形態(tài)。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，用于（是）半導體行業(yè)和太陽能。從目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。

　　多晶硅技術指標：電阻率》100Ω·cm（N型），電阻率》1000Ω·cm（P型）；少子壽命》25μs;C《1ppma.